保利協(xié)鑫CTO萬躍鵬：多晶制絨工藝將成為效率提升的關(guān)鍵

5月22日，由中國光伏行業(yè)協(xié)會主辦的“多晶金剛線切與黑硅技術(shù)論壇”在蘇州舉行。保利協(xié)鑫CTO萬躍鵬博士出席會議并作主題發(fā)言，他指出，在過去的四、五年間，多晶產(chǎn)品效率的提升主要來源于晶體結(jié)構(gòu)的改善，并取得了明顯成效，未來多晶效率的提升將更多地來自于絨面結(jié)構(gòu)的改善。

萬博士表示，一直以來，多晶產(chǎn)品憑借性價比優(yōu)勢長期占據(jù)市場主流。這一優(yōu)勢主要來自于鑄錠尺寸的增加，以及晶體結(jié)構(gòu)的改善。數(shù)據(jù)顯示，在鑄錠爐由G5升級為G6的過程中，產(chǎn)品良率、單位產(chǎn)出及能耗都有所改善，最終使平均成本降低約17%。與此同時，多晶在優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)方面取得了長足進步，推動轉(zhuǎn)換效率提升了1%以上。如今，多晶與單晶在晶體缺陷方面的效率差異已大幅降低到0.2%左右，已十分接近單晶的水平。

而在表面反射率方面，多晶與單晶仍有0.5%左右的效率差異，這將成為未來多晶技術(shù)提升轉(zhuǎn)換效率的主攻方向。萬博士進一步指出，黑硅技術(shù)由于能顯著改善多晶硅片的表面結(jié)構(gòu)，并可以借助金剛線切片技術(shù)顯著降低加工成本，而成為未來高效多晶技術(shù)的理想解決方案。其中干法(RIE)黑硅可促進電池效率提高0.4%-0.6%，濕法(MCCE)黑硅可促進電池效率提高0.2%-0.4%。

萬博士引用數(shù)據(jù)指出，近年來單晶技術(shù)的多項進步使得成本大為降低，對以性價比優(yōu)勢主導(dǎo)市場的多晶產(chǎn)品構(gòu)成了壓力，多晶技術(shù)急需取得新的突破。除了黑硅技術(shù)和金剛線切片工藝，多晶技術(shù)還可以繼續(xù)加大鑄錠尺寸和硅片尺寸，并研究PERC電池技術(shù)的應(yīng)用。如今，已有企業(yè)應(yīng)用了多晶黑硅片和PERC技術(shù)，量產(chǎn)后可以達(dá)到20.5%的轉(zhuǎn)換效率，說明這一技術(shù)具備很大的應(yīng)用前景。在鑄錠爐升級方面，G6升級為G7后還將降低12%的成本，進一步提高多晶硅片的成本優(yōu)勢。

總體而言，多晶產(chǎn)品的性價比優(yōu)勢是其在市場中占據(jù)主導(dǎo)地位的關(guān)鍵，萬博士強調(diào)，隨著技術(shù)的更新?lián)Q代，多晶硅片在轉(zhuǎn)換效率和成本方面仍有較大的進步空間?？梢灶A(yù)見，未來五年，多晶硅片還將占據(jù)市場的主導(dǎo)地位。